痕量分析的常用方法分述如下：

化學光譜法：常用于測定高純材料中痕量雜質，對分析99.999～99.9999%純度材料，效果好，測定下限可達μg至ng級。此法須先用液-液萃取、揮發(fā)、離子交換等技術分離主體，富集雜質，再對溶液干渣用高壓電火花或交流電弧光源進行光譜測定；或在分離主體后，把溶液濃縮到2～5ml，用高頻電感耦合等離子體作光源進行光譜測定。 

中子活化分析法：高純半導體材料的主要分析方法之一。用同位素中子源和小型加速器產(chǎn)生的通量為1012厘米-2·秒-1以上的中子流輻射被測定樣品。中子與樣品中的元素發(fā)生核反應，生成放射性同位素及γ射線。例如Si+n→Si+γ。用探測器和多道脈沖高度分析器來分析同位素的放射性、半衰期及γ射線能譜，就能鑒定出樣品中的痕量元素。中子活化分析法的主要優(yōu)點是靈敏度高于其他痕量分析方法，可在ppm或ppb的范圍內(nèi)測定周期表中的大部分元素；使用高分辨率的Ge(Li)半導體探測器和電子計算機可顯著提高分析速度；樣品用量少并不被污染和破壞；同時能分析多種元素。對于中子吸收截面非常小，產(chǎn)生的同位素是非放射性的、或放射性同位素的半衰期很長或很短的元素，不能用此法分析。